중국, 5~7나노 웨이퍼 2만→10만장 확대… 2030년 50만장 목표 ‘반도체 자립 가속’
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중국이 첨단 반도체 생산 확대에 본격적으로 속도를 내고 있습니다.
니케이 아시아 보도에 따르면, 중국 반도체 업체들은 정부 지원을 바탕으로 5~7나노급 첨단 칩 생산을 대폭 늘릴 계획입니다. 현재 월 2만 장이 채 되지 않는 첨단 웨이퍼 생산 능력을 1~2년 안에 10만 장 수준으로 확대하고, 2030년까지는 50만 장의 추가 생산 능력을 확보하는 것이 목표라고 전해졌습니다.

왜 이렇게 공격적으로 늘릴까?
핵심은 AI입니다.
대규모 AI 모델 확산과 데이터센터 구축 경쟁 속에서 고성능 반도체 수요가 급증하고 있습니다. 중국 역시 AI 자립과 기술 주도권 확보를 위해 첨단 공정 내재화를 서두르는 모습입니다.
현재 중국의 대표 파운드리 기업으로는 SMIC가 있습니다.
다만 5나노 이하 공정에서 필수적인 EUV(극자외선) 장비를 생산하는 ASML 장비는 미국의 수출 규제로 중국 반입이 제한된 상태입니다.
이 때문에 중국 업체들은 다음과 같은 전략을 병행하고 있습니다.
- 기존 DUV 장비를 활용한 우회 공정 최적화
- 국산 노광·식각 장비 개발 가속
- 수율 개선을 통한 실질 생산성 확대
- 해외 파운드리 의존도 축소
특히 최근에는 일부 중국 팹리스 기업들이 TSMC나 삼성전자 대신 국내 파운드리로 주문을 이동하는 흐름도 빨라지고 있다는 분석이 나옵니다.
물론 현실적인 제약도 분명합니다.
- EUV 장비 접근 제한
- 초기 공정 수율 문제
- 고성능 칩 신뢰성 확보
- 글로벌 공급망 압박
그럼에도 불구하고 생산 능력 자체를 빠르게 늘리겠다는 전략은 분명합니다.
양적 확대를 통해 학습 효과와 기술 축적을 동시에 노리는 구조입니다.
2030년 50만 장 목표가 현실화된다면,
글로벌 첨단 공정 경쟁 구도는 지금과 상당히 달라질 가능성이 있습니다.
AI 시대의 핵심은 연산 능력입니다.
그리고 그 연산 능력의 출발점은 결국 ‘웨이퍼’입니다.
중국이 얼마나 빠르게 격차를 좁힐 수 있을지,
글로벌 반도체 시장의 긴장감은 더욱 높아지고 있습니다.
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