SK하이닉스, 7세대 ‘HBM4E’ 12단 샘플 출하… 삼성과 AI 메모리 패권 ‘2차전’
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당초 하반기 예정이었던 샘플 출하, 일정 대폭 앞당겨
SK하이닉스가 18일 7세대 고대역폭메모리(HBM) 신제품 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 공식 발표했다. 당초 올해 하반기 공급을 예상했으나, 자체 개발 일정이 순조롭게 진행되면서 공급 시점을 크게 앞당겼다. 지난달 삼성전자가 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 출하한 지 불과 한 달도 안 된 시점이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 나갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너 협력을 바탕으로 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 밝혔다.
핵심 스펙: HBM4 대비 속도 37%·대역폭 38% 향상
HBM4E의 핵심 경쟁력은 속도와 전력 효율의 동시 개선이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현해 전작 HBM4(핀당 11.7Gbps) 대비 약 37% 빨라졌다. 총 대역폭은 초당 4.0TB로 HBM4(2.9TB/s) 대비 약 38% 향상됐으며, 전력 효율도 20% 이상 개선됐다. 다이 밀도 역시 약 33% 높아져 집적도도 크게 올랐다.
12단 적층 기준 용량은 48GB로, HBM4E 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다.
어드밴스드 MR-MUF 공정으로 열 저항 17% 낮춰
이번 제품의 또 다른 핵심은 패키징 기술이다. SK하이닉스는 HBM4E에 자체 개발한 ‘어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우 몰디드 언더필)’ 공정을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 수직으로 쌓은 뒤, 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다.
이 어드밴스드 버전을 통해 열 저항을 전작 대비 약 17% 낮추는 데 성공했다. 고성능 AI 연산 환경에서 필연적으로 발생하는 발열을 보다 효과적으로 제어해 장시간 안정적인 구동을 가능하게 한다는 점에서 데이터센터 운영사들의 관심이 집중된다.
최종 목적지는 엔비디아 ‘루빈 울트라’… 젠슨 황 “더 만들어 달라”
SK하이닉스 HBM4E의 최종 탑재 목적지는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘루빈 울트라’다. 루빈 울트라는 GPU당 HBM4E 12단 48GB 제품 8개가 탑재돼 총 384GB의 메모리를 갖출 것으로 예상된다. 전작 베라루빈 칩(HBM4 12단 36GB 8개·288GB)보다 대폭 늘어나는 규모다.
지난달 컴퓨텍스 2026에서 젠슨 황 엔비디아 CEO가 SK하이닉스 부스의 HBM4E 웨이퍼에 “더 만들어 달라(Please make more)”라고 직접 사인한 장면은 이번 경쟁의 무게를 단적으로 보여준다. HBM4E는 고객사 AI 칩 설계에 맞춰 최적화되는 맞춤형 제품이어서, 샘플을 먼저 공급해 성능 검증과 최적화 작업을 빠르게 완료할수록 하반기 물량 배정에서 유리한 고지를 점한다.
SK하이닉스 vs 삼성전자… 양산 전환 속도가 변수
삼성전자는 올해 2월 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어 지난달 HBM4E 샘플까지 선점했다. SK하이닉스는 HBM3·HBM3E·HBM4로 이어지는 양산 경험과 시장 신뢰를 바탕으로 추격전을 벌이고 있다. 향후 양산 전환 속도와 수율 경쟁이 두 회사의 HBM4E 주도권을 판가름할 핵심 변수로 떠오른다. SK하이닉스는 최근 차세대 기술로 HBM 패키지에 일체형 냉각 요소 ‘ICE(Integrated Cooling Elements)’를 내재화한 iHBM 기술도 선보이며 8세대 HBM5 시장 선점까지 내다보고 있다.
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