삼성전자 HBM4 승부수… 평택 P4서 차세대 D램 생산 170% 늘린다

삼성전자 HBM4 승부수… 평택 P4서 차세대 D램 생산 170% 늘린다

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AI 반도체 경쟁이 한 단계 더 뜨거워지고 있습니다.
이번엔 삼성전자가 제대로 속도를 올리는 모습인데요.

한국경제 보도에 따르면 삼성전자는 차세대 고대역폭 메모리인 HBM4에 들어가는 10나노급 6세대, 이른바 1c D램의 생산 능력을 올해 약 170% 확대하는 방안을 추진 중이라고 합니다.

핵심은 생산 거점입니다.
삼성전자는 평택 4공장, 흔히 말하는 P4 라인에 설비를 추가로 확충해 현재 월 7만 장 수준인 1c D램 생산량을 내년 1분기까지 월 10만~12만 장으로 끌어올릴 계획으로 알려졌습니다.

이 숫자만 봐도 의미가 꽤 큽니다.
HBM은 일반 D램보다 공정 난도가 훨씬 높고, AI 가속기용으로 쓰이다 보니 수요도 폭발적으로 늘고 있죠. 특히 HBM4는 기존 HBM3E보다 대역폭과 전력 효율이 크게 개선되는 세대라, 엔비디아·AMD 등 글로벌 AI 칩 업체들이 가장 민감하게 보는 메모리입니다.

삼성전자가 1c 공정에 이렇게 공격적으로 투자하는 이유도 여기에 있습니다.
AI 반도체 시장에서 단순히 “메모리를 만든다”는 수준을 넘어서, 얼마나 빠르고 안정적으로 대량 공급할 수 있느냐가 곧 경쟁력이 되기 때문이죠.

업계에서는 이번 증설을 두고
“삼성이 HBM 주도권을 다시 가져오기 위한 본격적인 승부수”라는 해석도 나옵니다.
특히 SK하이닉스가 HBM 시장에서 앞서 있는 상황에서, 생산량 확대는 고객사 신뢰를 끌어오는 데 결정적인 카드가 될 수 있습니다.

결국 관전 포인트는 하나입니다.
HBM4 양산 시점에 맞춰 누가 더 많은 물량을, 더 안정적으로 공급하느냐.
삼성전자의 평택 P4 증설은 그 경쟁의 출발선에 선 신호로 보입니다.

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